Die ersten zehn Bauteile umfassen Einkanal-Lastschalter für-12V im PowerPAK 1212-8-und SOT-23-Gehäuse 20V-Typen im Little Foot SO-8-und TSSOP-8-Gehäuse;auerdem-30V-Typen im PowerPAK SO-8-und TSOP-6-Gehäuse. . . Der-20V-Typ Si4423DY, das erste Bauteil im SO-8-Gehäuse auf der Basis der p-Kanal-Technologie, bietet einen On-Widerstand von 7,5mOhm bei 4,5V bzw. . . Der Si7451DP ist ein-30V-p-Kanal-MOSFET im PowerPAK SO-8 Gehäuse. . . Der Si2333DS ist ein-12V-MOSFET im SOT-23-Gehäuse mit einem On-Widerstand von 59mOhm bei 1,8V.
SEITE WEITEREMPFEHLEN. Lastschalter.24-07-07. . . Fairchild Semiconductors Lastschalter der Serien FPF214X und FPF216X sind für Applikationen von 1,8 V bis 5,5 V ausgelegt. Die Schalter im 2 mm x 2 mm MicroFET MLP-Gehäuse erzielen laut Hersteller eine um 45 Prozent verbesserte thermische Performance verglichen mit Schaltern im SOT-23-Gehäuse. Die Lastschalter verfügen über einen integrierten p-Kanal MOSFETs mit einem 0,11 Ohm Strombegrenzer.
Die ersten zehn Bauteile der neuen Familie umfassen Einkanal-Lastschalter für-12 V im PowerPAK 1212-8-und SOT-23-Gehäuse 20-V-Typen im LITTLE FOOT® SO-8-und TSSOP-8-Gehäuse;außerdem-30-V-Typen im PowerPAK SO-8-und TSOP-6-Gehäuse. . . Das PowerPAK 1212-8-Gehäuse spart nicht nur Platz, sondern erlaubt auch Verlustleistungen bis zu 3,8 W. . . Der-20-V-Typ Si4423DY, das erste Bauteil im SO-8-Gehäuse auf der Basis der neuen p-Kanal-Technologie, bietet einen On-Widerstand von nur 7,5 mOhm bei 4,5 V bzw.
